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  本实验通过这两种清理洗涤方法进行标识分为四个实验组，进行了清洗实验及室温接合， 以上工艺除热处理工艺外，通过最小化工序内部时间间隔，抑制清洗的基板表面暴露在大气中的灰尘等杂质...

  传三星预将芯片制造价格上调至多 20％   根据外媒的一手消息，三星正就将芯片制造价格提高20%进行商议。有必要注意一下的是，除了三星之外，台积电此前也宣布，将从明年1月起将全面调整晶圆代...

  本文展示了一种使用连续湿法化学表面活化(即SPM→RCAl清洗)结合硅和石英玻璃晶片的键合方法。经过200 ℃的多步后退火，获得了无空洞或微裂纹的牢固结合，基于详细的表面和键合界面表征，...

  Supplyframe 的Commodity IQ 分析指出了一些严峻的趋势。零部件仍将稀缺，价格将持续上涨。85%的调研公司认为价格会在第二季度增加，83%的认为交付周期预计将延长。...

  本文报道了这种化学镍的形成，包括在100pm以下的模具,通过扫描电镜检查，研究了各种预处理刻蚀过程和锌酸盐活化对最终化学镍碰撞质量的影响，以帮助仔细地了解活化机理，并确定它们对化学...

  台积电和三星从7nm工艺节点就开始应用EUV光刻层了，并且在随后的工艺迭代中，逐步增加半导体制作的完整过程中的EUV光刻层数。...

  本文介绍了我们华林科纳研究不同清理洗涤方法（离心和透析）对15纳米柠檬酸钠稳定纳米颗粒表面化学和组成的影响，关于透析过程，核磁共振分析表明，经过9个清洗周期后，柠檬酸浓度与第一次...

  台积电预计2022年将是又一个强劲增长的一年。它估计年收入可能会再增长30%，未来几年的复合年增长率将达到15-20%。预计会增长将受到来自5G和高性能计算的半导体长期结构升级的推动。...

  我们华林科纳研究了三种化学溶液，用于在分布反馈激光器应用的InP外延生长之前清洗光栅。这些化学物质是浓缩的HMSO和n SO，H2 2的混合溶液，其中n =β和...

  时至今日，终端市场需求疲软已成定局，不仅是中低端芯片去库存，连GPU价格都出现暴跌，晶圆厂虽然没有呈现显而易见地下降趋势，但上游喊涨似乎并不是特别容易，部分半导体材料厂商向下游传导涨价需...

  接上回的实验演示   实验演示  非球面的制造包括以下步骤: 1.光刻掩模的设计和图案到沉积在硅晶片上的氧化层的转移； 2.KOH蚀刻以形成金字塔形凹坑； 3.去除氧化物掩模并进一步各向异性蚀...

  引言 我们报道了利用KOH水溶液中硅的各向异性腐蚀，用单掩模工艺进行连续非球面光学表面的微加工。用这种工艺制造了具有几毫米量级的横向尺度和几微米量级的轮廓深度的精确的任意...

  基本化学成分以Cl2为基础，外加用于侧壁钝化的N2。优化的ICP蚀刻工艺能够产生具有光滑侧壁的高纵横比结构。使用670nm波长的激光进行原位反射监测，以高精度在材料界面停止蚀刻。考虑到在...

  国际调查研究机构Counterpoint关于物联网芯片市场的一组多个方面数据显示，2021年中国物联网芯片市场猛增，贡献了全球40%的销售额。蜂窝物联网芯片出货量更是一枝独秀，去年第四季度增幅高达57%。除了高...

  堆叠技术也可以叫做3D堆叠技术，是利用堆叠技术或通过互连和其他微加工技术在芯片或结构的Z轴方向上形成三维集成，信号连接以及晶圆级，芯片级和硅盖封装具有不一样的功能，针对包装和可...

  传统驱动过程的问题就在于它只允许喷射稀薄的墨水，然后由于它们的高流体含量而被压平在基材上。驱动的液滴不小于喷射它们的喷嘴的尺寸。这种传统的推动概念在物理上将喷嘴尺寸限制在几...

  一个复杂的测试工具需要80个可以在生产后重新编程的专业芯片，但随后有助于每年生产320，000个相同的芯片。...

  先进制程（7纳米及7纳米以下的制程）营收占到台积电全季度晶圆销售金额的50%，其中5纳米制程占比20%，7纳米制程占比30%。...

  工控芯片大多数都用在电机控制、仪器仪表、低压配电、电动工具等多元应用场景，但由于工控市场规模有限，工控芯片相对而言不那么受重视。...

  虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。   泛林集团在与...

  超声增强化学腐蚀被用来制作多孔硅层，利用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制备多孔硅层，发现超声波改善了p型硅上多孔硅层的结构，用这种办法能够制作品质因数高得多的多孔硅微腔，...

  未来同步整流将成为一个功率模块，易于使用，方便设计者调试。同步整流，DC/DC，USB协议芯片等集成在一个封装体内，实现多个功能。...

  本研究利用CFD模拟分析了半导体晶片干燥场非内部和晶片周围的流动特性，并根据分析Case和晶片位置观察了设计因子变化时的速度变化。...

  为了阐明蚀刻残留物的形成机理，研究了氯/氦-氧、溴化氢/氦-氧和溴化氢/氯等不同气体混合物的影响，我们得知在氧的存在下，蚀刻残留物形成良好，这表明蚀刻残留物是由氧和非挥发性乳化...

  根据规划，意法半导体将在未来4年内大幅度的提高晶圆产能，计划在2020 年至2025 年期间将欧洲工厂的整体产能提升一倍，主要是增加300mm（12英寸）产能;对于200 mm（8 英寸）产能，意法半导体将选择...

  无论是在制作工艺还是经验之谈上，台积电都是美日在2nm芯片研发上不可或缺的伙伴，可是为何这两个家伙却在这次将台积电拒之门外了呢？...

  本文研究了金属蚀刻残留物，尤其是钛和钽残留物对等离子体成分和均匀性的影响。通过所谓的漂浮样品的x射线光电子能谱分析来分析室壁，并且通过光发射光谱来监测Cl2、HBr、O2和SF6等离子体...

  本文介绍了在缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液中温度对氮化物和氧化物层腐蚀速率的影响。明确的框架结构和减少的蚀刻时间将提高制作的完整过程的生产率，该方法从图案化氮化硅开始，以研究在BOE工艺之...

  本文讨论了一种使用容易获得的晶片处理技术在硅中产生沟槽结构的简单技术，利用(110)Si的取向相关蚀刻，可能在硅中产生具有垂直侧壁的沟槽，与该技术一起使用的某些溶液的蚀刻各向...